例如，安森美半導(dǎo)體1200 V、15 A的一款SiC二極管，雪崩電流接近200 A (3500 A/cm2)，8.2 ms 脈沖可以承受158 A (>10倍 額定值) 非破壞性的浪涌電流，33 μs 脈沖可以承受740 A更高的浪涌電流，而小很多的電流將會使一個(gè)平面肖特基二極管發(fā)生故障。我們在85C/85% RH的高溫度/濕度/偏置VCE=960V的測試條件下進(jìn)行了對比測試，結(jié)果顯示，競爭SiC器件(1200V、8A)在168小時(shí)后發(fā)生故障，而安森美半導(dǎo)體SiC器件(1200V, 10A)通過了1000小時(shí)的測試，可見安森美半導(dǎo)體的SiC二極管的可靠性更高。

表1. 安森美半導(dǎo)體的650 V SiC二極管

表2. 安森美半導(dǎo)體的1200 V SiC二極管

其中，F(xiàn)FSHx0120和FFSHx065是符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管，能在惡劣的電氣環(huán)境中可靠地工作，為汽車應(yīng)用帶來能效、性能、功率密度等多方面的顯著優(yōu)勢。

SiC MOSFET門極驅(qū)動器用于高性能的工業(yè)逆變器和電機(jī)驅(qū)動器

SiC MOSFET有獨(dú)特的門極驅(qū)動要求。安森美半導(dǎo)體的NCP51705 是經(jīng)優(yōu)化的SiC MOSFET門極驅(qū)動器，具備高度的靈活性和集成度，能高效、可靠地驅(qū)動市場上任何SiC MOSFET。峰值輸出電流高達(dá)6 A，正額定電壓可擴(kuò)展，集成負(fù)壓充電泵，能提供-5 V驅(qū)動電壓，可調(diào)的欠壓保護(hù)(UVLO)，退飽和(DESAT)檢測短路保護(hù)，過熱關(guān)斷保護(hù)。NCP51705支持設(shè)計(jì)人員根據(jù)需求進(jìn)行調(diào)試，具有簡單的BoM，無需額外的DC-DC電路，提供負(fù)壓實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷，采用4 mm x 4 mm QFN24的極小封裝，適用于工業(yè)逆變器、電機(jī)驅(qū)動、高性能功率因數(shù)校正(PFC)、AC-DC及DC-DC轉(zhuǎn)換器。圖2所示為SiC MOSFET門極驅(qū)動器NCP51705的典型線路圖。

圖2：典型的半橋隔離門極驅(qū)動電路

SiC MOSFET門極驅(qū)動器要點(diǎn)包括：

● 類似于傳統(tǒng)的硅MOSFET驅(qū)動器, 在開關(guān)時(shí)提供高峰值電流，以對CGS和CGD電容快速充放電

●為實(shí)現(xiàn)最低的RDS(ON，在導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)需要提供20V至22V 門極驅(qū)動電壓

● 為實(shí)現(xiàn)最快的關(guān)斷速度和在關(guān)態(tài)期間不受dV/dt 影響，在關(guān)斷期內(nèi)驅(qū)動器應(yīng)將門極拉至 約-5V

●通過使用低電感封裝或共同封裝來減輕驅(qū)動或開關(guān)時(shí)源電感的負(fù)反饋效應(yīng)，如漏感引起的振蕩、干擾等

安森美半導(dǎo)體提供寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)

為加速設(shè)計(jì)，安森美半導(dǎo)體提供一個(gè)重點(diǎn)圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包括SiC、GaN、門極驅(qū)動、創(chuàng)新的封裝和先進(jìn)的仿真工具SPICE模型。該SPICE模型直觀、準(zhǔn)確、具預(yù)測性，支持系統(tǒng)級仿真，設(shè)計(jì)人員可有把握地仿真數(shù)據(jù)表中未涵蓋的工作條件，從而提前在仿真過程進(jìn)行評估，加快開發(fā)流程。該SPICE模型還可連接到多種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的仿真平臺端口。

總結(jié)