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熱瞬態(tài)測(cè)試儀(T3ster)在測(cè)試LED熱阻的應(yīng)用

一、基于電學(xué)法的熱瞬態(tài)測(cè)試技術(shù)

1.測(cè)試方法 :電學(xué)法

尋找器件內(nèi)部具有溫度敏感特性的電學(xué)參數(shù),通過(guò)測(cè)量該溫度敏感參數(shù)(TSP)的變化來(lái)得到結(jié)溫的變化。

TSP 的選擇:一般選取器件內(nèi) PN 結(jié)的正向結(jié)電壓。

2.測(cè)試技術(shù):熱瞬態(tài)測(cè)試

① 當(dāng)器件的功率發(fā)生變化時(shí),器件的結(jié)溫會(huì)從一個(gè)熱穩(wěn)定狀態(tài)變到另一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài),T3Ster 將會(huì)記錄結(jié)溫瞬態(tài)變化過(guò)程(包括升溫過(guò)程與降溫過(guò)程)。

② 一次測(cè)試,既可以得到穩(wěn)態(tài)的結(jié)溫?zé)嶙钄?shù)據(jù),也可以得到結(jié)溫隨著時(shí)間的瞬態(tài)變化曲線。

③ 瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線包含了熱流傳導(dǎo)路徑中每層結(jié)構(gòu)的詳細(xì)熱學(xué)信息(熱阻和熱容參數(shù))。

二、應(yīng)用實(shí)例

1.如何利用結(jié)構(gòu)函數(shù)識(shí)別器件的結(jié)構(gòu)

LED的一般散熱路徑為:芯片 - 固晶層 - 支架或基板 - 焊錫膏 - 輔助測(cè)試基板 - 導(dǎo)熱連接材料



如下面結(jié)構(gòu)函數(shù)顯示,結(jié)構(gòu)函數(shù)上越靠近 y 軸的地方代表著實(shí)際熱流傳導(dǎo)路徑上接近芯片有源區(qū)的結(jié)構(gòu),而越遠(yuǎn)離 y 軸的地方代表著熱流傳導(dǎo)路徑上離有源區(qū)較遠(yuǎn)的結(jié)構(gòu)。

積分結(jié)構(gòu)函數(shù)是熱容—熱阻函數(shù),曲線上平坦的區(qū)域代表器件內(nèi)部熱阻大、熱容小的結(jié)構(gòu),陡峭的區(qū)域代表器件內(nèi)部熱阻小、熱容大的結(jié)構(gòu)。

微分結(jié)構(gòu)函數(shù)中,波峰與波谷的拐點(diǎn)就是兩種結(jié)構(gòu)的分界處,便于識(shí)別器件內(nèi)部的各層結(jié)構(gòu)。

在結(jié)構(gòu)函數(shù)的末端,其值趨向于一條垂直的漸近線,此時(shí)代表熱流傳導(dǎo)到了空氣層,由于空氣的體積無(wú)窮大,因此熱容也就無(wú)窮大。從原點(diǎn)到這條漸近線之間的 x 值就是結(jié)區(qū)到空氣環(huán)境的熱阻,也就是穩(wěn)態(tài)情況下的熱阻。



2.利用結(jié)構(gòu)函數(shù)識(shí)別器件封裝內(nèi)部的“缺陷”:



對(duì)比上面兩個(gè)器件的剖面結(jié)構(gòu),固晶層可見(jiàn)明顯差異。如下圖,左邊為正常產(chǎn)品,右邊為固晶層有缺陷的產(chǎn)品。



根據(jù)上圖顯示,固晶層缺陷會(huì)造成的熱阻增大,影響散熱性能,具體的影響程度與缺陷的大小有關(guān)。

3.測(cè)量結(jié)殼熱阻:

這兩次測(cè)試的分別:第一次測(cè)量,器件直接接觸到基板熱沉上;第二次測(cè)量,器件和基板熱沉中間夾著導(dǎo)熱雙面膠。由于兩次散熱路徑的改變僅僅發(fā)生在器件封裝殼之外,因此結(jié)構(gòu)函數(shù)上兩次測(cè)量的分界處就代表了器件的殼。如下圖所示的曲線變化,可得出器件的精確熱阻。



4.結(jié)構(gòu)無(wú)損檢測(cè):

同批次產(chǎn)品,取固晶層完好、邊緣缺陷以及中間缺陷的樣品測(cè)試。固晶完好的固晶層應(yīng)為矩形,而邊緣和中間存在缺陷,則固晶層不規(guī)則,下圖兩種缺陷的圖片。



此次檢測(cè)測(cè)試出三條熱阻曲線。由于三次測(cè)試的芯片是一樣的,因此在結(jié)構(gòu)函數(shù)中表征芯片部分的曲線是完全重合在一起的。隨著固晶層損傷程度的增加,該結(jié)構(gòu)層的熱阻逐漸變大。這是由于空洞阻塞了有效的散熱通道造成的。



根據(jù)測(cè)試結(jié)果,不僅可以定性地找出存在缺陷的結(jié)構(gòu),而且還能定量得到缺陷引起的熱阻的變化量。

5.老化試驗(yàn)表征手段:

下圖為一個(gè)高溫高濕老化案例中同一樣品不同時(shí)期的熱阻曲線。



老化前后,從芯片后波峰的移動(dòng)可以清晰地看出由于老化造成的分層,導(dǎo)致了芯片粘結(jié)層的熱阻增大。對(duì)樣品不同階段的熱阻測(cè)試,可得到每層結(jié)構(gòu)的熱阻變化,根據(jù)變化分析老化機(jī)理,從而改善產(chǎn)品散熱性能。


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