首先，功率放大器作為通信發射系統中極為重要的部分，其輸出功率的能力，漏級效率大小都會對整個通信系統有著重要的影響，從綜合性能來說，氮化鎵射頻功放管成為了高頻大功率以及寬帶高效功放模塊的最合適選擇。GaN既彌補了LDMOS的高頻帶寬和效率的性能缺失，又改善了GaAs在高頻功率容量的不足，加上氮化鎵在可靠性方面的優勢，使其成為5G 通信的首選功放管技術。

再者，近年來歐美半導體公司對國內功放管市場的封鎖趨緊，國內氮化鎵企業受到了市場的大力追捧，加速發展。

一款新型GaN射頻功放管DX1H3438140P可支持頻段為3.4 GHz-3.8 GHz，借助其優異的寬帶性能，客戶可以在該頻段內采用同一個寬帶功放管來代替原有的兩種甚至是三種功放管。功放管的工作電壓為48 V，在該頻段擁有較好的線性度、功率密度、效率以及寬帶特性。在板級使用時，外匹配容易實現，調試簡單。

將該功放管設計成Doherty架構，非常適合系統平均功率為20 W的基站使用。采用該功放管設計的Doherty架構功率放大器，可以支持160 MHz的寬帶信號，并很好的與寬帶DPD系統配合，在常溫下經過DPD校正之后，線性度可以達到-50 dBc @ 45.4 dbm，表現出了很完美的射頻閉環性能。

下面我們對這款功率管分別作了單管及Doherty性能測試：

一、Load Pull性能

表1為功放管DX1H3438140P在3.4 GHz-3.8 GHz的Load Pull測試性能。

表1、DX1H3438140P Load Pull測試結果