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2025年2月27日,服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(ST)與重慶郵電大學在重慶安意法半導體碳化硅晶圓
初春時節,走進國基南方碳化硅器件生產車間,自動傳輸帶運送器件、組件次第向前,操作人員身影忙碌。“我們研發了新能源汽車等領
第三代半導體材料行業背景以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導體材料的應用,是各國爭相發展的重點領域。第
圖片隨著新材料及高壓技術的發展,近年來不斷涌現了新型碳化硅二極管、氮化鎵二極管,及高壓硅堆,普遍具有承受的反向擊穿電壓越來越高,反向漏電流越來越小的特點,在高壓、大功率等應用領域中正逐步替代傳統高壓二
圖片近年來,消費者對于新能源車性能要求越來越高的趨勢下,車用電子組件廠商紛紛推出高壓元器件,其中也包含碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)第三代半導體材料組件的導入。隨著元器件操作額定的提升,生產廠商于測試驗證上
汽車全域碳化硅平臺的技術挑戰就在上周,小米SU7的上市一度成為業界焦點,我們也看到了又一大主機廠布局全域碳化硅高壓平臺,此平臺不僅提升了車輛的充電和驅動效率,還通過減少能量損耗和提高系統穩定性,為電動汽
忱芯科技作為碳化硅賽道技術黑馬,以碳化硅半導體產業作為核心支點,制造高性能、高可靠碳化硅核心功率部件產品和半導體自動化量產測試系統。為滿足國內日益高漲的高品質國產功率半導體器件需求,忱芯科技不斷擴大生
人們在減緩氣候變化方面的努力推進了非化石燃料、可再生能源解決方案以及交通運輸行業加速電氣化的進程。這些新技術要求使用大功率,因此也推動了電源行業的新發展。電動汽車 (EV) 的電池組電壓可超過 900 VDC,容量
航裕電源聚焦功率半導體領域,為IGBT、MOS管、二三極管、碳化硅或氮化鎵器件等功率半導體器件,提供多功能可編程的直流電源、高壓電源等,進行老化、耐高壓、IGBT 的芯片研發、模塊封裝、模塊應用高性能測試,保證產
第三代半導體材料碳化硅具有禁帶寬度大、臨界擊穿電場強度高、電子飽和遷移速率大、電子密度高、熱導率高、介電常數低,具備高頻高效、耐高壓、耐高溫,以及抗輻射能力強等諸多優越性能,因而能制備出在高溫下運行穩
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢,有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商,除了提供適合全功率范圍的高性能硅方案,也處于實現寬禁帶的前沿,具備全面的寬禁帶陣容,產品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態系統,為設計人員提供針對不同應用需求的更多的選擇。
日前,科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導體器件制備及評價技術”項目驗收會。通過項目的實施,中國在第三代半導體關鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領域取得突破。
2018年8月21日,中科院長春光機所研制的4.03米大口徑碳化硅反射鏡成功通過驗收。這也是公開報道的世界上最大口徑碳化硅單體反射鏡。這一成果標志我國光學系統制造能力躋身國際先進水平,為我國大口徑光電裝備跨越升級奠定了堅實基礎。
6月5日,在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內,100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行,SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。
碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性,是新一代雷達系統的核心,我國已達到國際先進水平。
碳化硅市場熱度高漲,主要歸功于碳化硅產品在新能源車等領域的高效解決方案的不斷普及、投資資金呈倍數增長、以及基礎設施工藝的不斷進步。碳化硅具有高硬度、高熱導率、低熱膨脹性和優異的化學特性,其應用范圍廣泛
PHU -系列是一款單通道可編程直流電源,具有多量程輸出功能,可提供廣泛的電壓和電流組合,具有更高的靈活性。電路設計采用SiC碳化硅元件,實現高功率密度特性,3U高度最大輸出15kW。PHU的電壓和電流范圍廣,加上其
中國科學院微電子研究所劉新宇研究員介紹首款國產高壓抗輻射碳化硅(SiC)功率器件研制相關情況。中新網記者 孫自法 攝被譽為電力電子系統“心臟”的功率器件,是實現電能變換和控制的核心,也是國計民生領域最為基礎、
同惠電子近日舉行2023年年度報告說明會,公司表示,隨著新能源汽車滲透率不斷提高,車規級芯片尤其是功率芯片的需求越來越大,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代功率芯片的技術突破和新增產能會帶來更多的行業機會;另
3月8日,芯動半導體與意法半導體在深圳簽署戰略合作協議,長城汽車零部件董事長鄭立朋、芯動半導體總經理姜佳佳,意法半導體總裁兼首席執行官 Jean-Marc Chery,執行副總裁、中國區總裁曹志平,中國區市場及應用副總