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實驗室儀器的功率模塊適用方案

基于PC的實驗室儀器平臺使自動化實驗室設(shè)置和數(shù)據(jù)收集變得簡單而有效。工程師對用于儀表系統(tǒng)(如外圍組件互連(PCI)的儀表擴展(PXIe)系統(tǒng))的DC/DC轉(zhuǎn)換器具有獨特的要求,包括:低電磁干擾(EMI)、小尺寸解決方案、高效率、寬輸入電壓范圍以及良好的線路和負(fù)載調(diào)節(jié)。本文讓我們了解這些不同的要求,以及電源模塊如何幫助滿足這些要求。

 

低電磁干擾(EMI)

因為EMI會導(dǎo)致設(shè)備性能下降和潛在的故障,實驗室儀器對其有著極其嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。由于固有的開關(guān)作用,基于開關(guān)模式的DC/DC電源是EMI的主要原因。

圖1所示為降壓穩(wěn)壓器的基本連接圖。在降壓穩(wěn)壓器中,由電感器L、輸出電容器COUT和低側(cè)場效應(yīng)晶體管QLS形成的環(huán)路具有連續(xù)的電流。但是,由于FET的開關(guān)作用,在由高側(cè)開關(guān)QHS、低側(cè)開關(guān)QLS和輸入電容器CIN產(chǎn)生的環(huán)路中存在不連續(xù)的電流流動。

 

圖 1:簡化的降壓穩(wěn)壓器圖

 

由連接走線包圍的區(qū)域決定了在此不連續(xù)電流的路徑中將存在多少寄生電感。公式1表明,流經(jīng)電感的開關(guān)電流會在其兩端產(chǎn)生電壓差。

 

 

因此,這種設(shè)置無意中會導(dǎo)致電壓尖峰和EMI,如圖2所示。

 

圖 2:電壓尖峰和EMI

 

雖然這不可避免,但讓輸入電容極其靠近兩個FET的簡單布局有助于減小環(huán)路面積,減小寄生電感,降低電壓尖峰并降低EMI。

功率模塊在此具有優(yōu)勢,因為輸入電容器通常集成在封裝內(nèi)且極其靠近集成電路(IC)。類似的邏輯也適用于集成在功率模塊中的自舉電容器。

 

組件選擇

如圖1所示,除走線長度外,具有大寄生效應(yīng)的不良元件會使情況惡化,因為它們處于脈沖電流的路徑中。開關(guān)節(jié)點的面積和電感的選擇直接影響EMI。開關(guān)節(jié)點太大,且非屏蔽電感器具有大寄生電容會散發(fā)出大量噪聲。

如圖3所示,由于模塊電源集成了很多無源器件,使得開關(guān)節(jié)點區(qū)域得到了很好的優(yōu)化。

 

圖 3:電源模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)

 

流經(jīng)電感器的電流會產(chǎn)生磁場,未經(jīng)抑制的磁場導(dǎo)致更差的EMI,非屏蔽電感器對于該磁場沒有抑制方法。

電源模塊通常集成了經(jīng)高水平應(yīng)力測試的屏蔽電感器,有助于抑制輻射噪聲,從而減少污染附近其他敏感電路的可能性。

較新的DC/DC穩(wěn)壓器采用德州儀器(TI)的HotRod?封裝技術(shù)。圖4比較了HotRod封裝技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的線焊方形扁平無引腳(QFN)封裝。

 

圖 4:HotRod封裝技術(shù)

 

這種封裝技術(shù)消除通常用于將芯片焊盤連至引線框架的封裝接線,使用具有小焊接凸塊的銅柱。沒有封裝接線,寄生電感減少并進(jìn)一步有助于減輕EMI。

 

頻率同步

EMI是降壓穩(wěn)壓器開關(guān)作用的產(chǎn)物,這意味著開關(guān)頻率(FSW)對于保持低電磁干擾非常重要。在多個降壓穩(wěn)壓器為各種軌道供電的系統(tǒng)中,可能存在來自這些不同開關(guān)頻率相互之間的干擾作用的拍頻。由于拍頻可在隨機頻率發(fā)生且其諧波也不可預(yù)測,因此在復(fù)雜的儀器系統(tǒng)中減輕電磁干擾極具挑戰(zhàn)性。

為幫助解決此問題,TI LMZM33603和LMZM33606等電源模塊配備了頻率同步輸入引腳,可使系統(tǒng)中的所有降壓穩(wěn)壓器以一個公共頻率進(jìn)行切換。此功能不僅有助于避免拍頻,還能將FSW諧波保持在已知頻率。接著,設(shè)計一個減輕EMI的輸入濾波器變得更加容易。圖5所示為使用LMZM33606電源模塊的典型原理

圖 5: 5 V輸出的典型原理圖

 

小型解空間中的高效率要求

臺式儀表設(shè)備使用較小的機箱,這可能導(dǎo)致空間受限的系統(tǒng)。這些機箱可能小于3U,通常為半機架寬度。具有集成系統(tǒng)模塊的PXIe機箱的示例可僅具有五個插槽:三個混合,兩個PXIe。

在這種空間受限的環(huán)境中,電源模塊成為實用的選擇。在適用時,使用它們可大大減少空間限制并縮短產(chǎn)品上市時間。圖6中的電源樹所示為可用于臺式PXIe機箱中的背板電源的電源模塊和分立穩(wěn)壓器。

 

圖 6:臺式PXIe機箱的電源樹示例

 

由于負(fù)載電流限制,電源模塊可能無法為所有電壓軌供電。在需要更多電流功能的系統(tǒng)中,您必須選擇其他設(shè)備。德州儀器的WEBENCH®工具是了解更多有關(guān)其他器件和獲取設(shè)計原理圖,以及諸如效率、物料清單(BOM)大小和BOM成本等重要參數(shù)的一個好方法。

表1比較了TI功率模塊(LMZM33606和LMZM33602)和集成穩(wěn)壓器(LM73606和LMR33620)。如您所見,在設(shè)計中實現(xiàn)電源模塊時可節(jié)省相當(dāng)大的空間。操作效率在沒有任何可感知的變化時,空間得以節(jié)省。

 

表 1:DC/DC穩(wěn)壓器與電源模塊的比較

 

圖5中的模塊原理圖非常簡單。具有如此低的周邊元件數(shù)目,所得到的設(shè)計將占用極小的空間。圖6所示為LMZM33606在多個輸入電壓下的負(fù)載電流效率。

 

圖 6:LMZM33606效率

 

良好的線路和負(fù)載調(diào)節(jié)

儀表系統(tǒng)的輸入電壓可能為18 V至36 V的未經(jīng)調(diào)壓的電壓。所有軌道的典型線路調(diào)節(jié)率可為0.1%至0.2%。在各種控制架構(gòu)中,峰值電流模式(PCM)架構(gòu)是可實現(xiàn)這種嚴(yán)格要求的架構(gòu)。如圖7所示,通過檢測通過高側(cè)場效應(yīng)晶體管(FET)的電流,PCM架構(gòu)起作用,以產(chǎn)生比較斜坡。

 

圖 7:PCM架構(gòu)的簡化原理圖

 

隨著輸入電壓不斷變化,首先要改變電流斜率。它作為系統(tǒng)的前饋,在輸入電壓變化時校正占空比。因此,占空比的瞬時更新有助于實現(xiàn)極佳的線路調(diào)節(jié)。LMZM33606和LMZM33602基于PCM架構(gòu),這極其適合此類系統(tǒng)。

圖8所示為LMZM33606的線路和負(fù)載調(diào)節(jié)。對于3A負(fù)載,線路穩(wěn)壓率為0.02%;對于標(biāo)稱24 V輸入,負(fù)載調(diào)節(jié)率為0.1%。

 

圖 8:LMZM33606線路和負(fù)載調(diào)節(jié)

 

除節(jié)省空間和優(yōu)化性能外,電源模塊還提供其它優(yōu)勢。它們集成了高質(zhì)量無源元件,可在高溫下進(jìn)行大量測試,以確保長壽命和可靠性。它們的特性使電源模塊對實驗室儀器設(shè)備更具吸引力。

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